Perbedaan utama antarasubstrat silikon nitridadan substrat adalah definisi, kegunaan dan karakteristiknya.
Substrat silikon nitrida:Substrat silikon nitridaadalah bahan keramik yang terutama digunakan dalam pembuatan perangkat semikonduktor daya, khususnya modul daya. Ini memiliki konduktivitas termal yang tinggi, kekuatan mekanik yang tinggi, dan pencocokan termal yang baik, dan cocok untuk skenario aplikasi yang memerlukan keandalan tinggi dan ketahanan suhu tinggi. Substrat: Substrat biasanya mengacu pada struktur pendukung dasar yang digunakan untuk pembuatan chip. Bahan substrat yang umum mencakup wafer silikon kristal tunggal, substrat SOI, substrat SiGe, dll. Pilihan media bergantung pada persyaratan aplikasi tertentu, seperti sirkuit terpadu, mikroprosesor, memori, dll.
Konduktivitas termal yang tinggi: Konduktivitas termal silikon nitrida mencapai 80 W/m·K atau lebih, yang cocok untuk kebutuhan pembuangan panas perangkat berdaya tinggi. Kekuatan mekanik yang tinggi: Memiliki kekuatan lentur yang tinggi dan ketangguhan patah yang tinggi, memastikan keandalannya yang tinggi. Pencocokan koefisien ekspansi termal : Ini sangat mirip dengan substrat kristal SiC, memastikan kecocokan yang stabil antara keduanya dan meningkatkan keandalan secara keseluruhan .
Substrat
Berbagai jenis : Termasuk wafer silikon kristal tunggal, substrat SOI, substrat SiGe, dll., setiap bahan substrat memiliki bidang aplikasi spesifik dan keunggulan kinerja .
Berbagai macam kegunaan : Digunakan untuk memproduksi berbagai jenis chip dan perangkat, seperti sirkuit terpadu, mikroprosesor, memori, dll. .
Substrat silikon nitrida : Terutama digunakan untuk perangkat berdaya tinggi di bidang seperti kendaraan energi baru dan jalur transportasi modern. Karena kinerja pembuangan panas, kekuatan mekanik, dan stabilitasnya yang sangat baik, produk ini cocok untuk persyaratan keandalan yang tinggi di lingkungan yang kompleks .
Substrat : Banyak digunakan dalam berbagai pembuatan chip, dan aplikasi spesifiknya bergantung pada jenis media. Misalnya, wafer silikon kristal tunggal banyak digunakan dalam pembuatan sirkuit terpadu dan mikroprosesor, substrat SOI cocok untuk sirkuit terpadu berkinerja tinggi dan berdaya rendah, dan substrat SiGe digunakan untuk transistor bipolar heterojungsi dan sirkuit sinyal campuran, dll.