Logam Substrat Keramik

Logam darisubstrat keramik:

A. Metode film tebal: Metode metalisasi film tebal, dibentuk dengan sablon padasubstrat keramik, membentuk konduktor (sirkuit kabel) dan resistansi, dll., sirkuit pembentukan sinter dan kontak timbal, dll., Sistem pencampuran oksida dan kaca dan oksida;
B. Hukum Film: Metalisasi dengan pelapisan vakum, pelapisan ion, pelapisan sputtering, dll. Namun, koefisien muai panas film logam dansubstrat keramikharus sebaik mungkin, dan daya rekat lapisan metalisasi harus ditingkatkan;
C. Metode pembakaran bersama: Pada lembaran hijau keramik sebelum dibakar, bubur film tebal dari kawat pencetakan Mo, W dkk., bersifat pertahanan, sehingga keramik dan logam konduktor terbakar menjadi suatu struktur, metode ini Memiliki ciri-ciri sebagai berikut :
■ Pengkabelan sirkuit halus dapat dibentuk, yang mudah untuk dicapai berlapis-lapis, sehingga pengkabelan dengan kepadatan tinggi dapat dicapai;
■ Karena isolator dan konduktor - paket kedap udara;
■ Dengan pemilihan bahan, tekanan pembentukan, suhu sintering, pengembangan penyusutan sintering, khususnya, pengembangan substrat tanpa penyusutan dalam arah planar berhasil dibuat untuk digunakan dalam paket dengan kepadatan tinggi seperti BGA, CSP, dan bare keripik.